স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স মঙ্গলবার একটি নতুন প্রজন্মের কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা (AI) মেমরি প্রযুক্তি প্রবর্তন করেছে, যার লক্ষ্য ক্রমবর্ধমান এআই বাজারে চিপ তৈরির ক্ষেত্রে নিজেদের নেতৃত্ব বজায় রাখা। ক্যালিফোর্নিয়ার সান্তা ক্লারায় অনুষ্ঠিত 'ফিউচার অফ মেমরি অ্যান্ড স্টোরেজ' কনফারেন্সে কোম্পানিটি তাদের BV-NAND প্রোটোটাইপটি উন্মোচন করেছে। এই চিপটিতে ৪০০টিরও বেশি স্তর রয়েছে এবং এতে নতুন ওয়েফার-বন্ডিং আর্কিটেকচার ব্যবহার করা হয়েছে যা স্টোরেজ ঘনত্ব এবং কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি করে।

কোম্পানি জানিয়েছে যে তাদের BV-NAND প্রযুক্তি পূর্ববর্তী V9 NAND-এর তুলনায় মেমরি ঘনত্ব প্রায় ৫৮% বৃদ্ধি করে। এআই সিস্টেমের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে এটি রিড, রাইট এবং ইনপুট/আউটপুট পারফরম্যান্স উন্নত করবে। এছাড়াও, স্যামসাং তাদের zHBM এবং zNAND-O আর্কিটেকচারের ধারণা প্রদর্শন করেছে, যা ডেটা চলাচলের দূরত্ব কমিয়ে ব্যান্ডউইথ এবং শক্তি দক্ষতা বৃদ্ধি করবে।